Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0404U001380, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 19-03-2004 Статус Запланована Назва роботи Рідиннофазна епітаксія структур на основі GaSb для термофотовольтаїчних перетворювачів Здобувач Андронова Олена Валеріївна, Керівник Марончук І.Є. Опонент Левінзон Д.І. Опонент Масенко Б.П. Опис Об'єкт - методи і процеси вирощування епітаксійних шарів з рідкої фази; мета -розробка методики та дослідження процесів виготовлення рідиннофазною епітаксією гомо- і гетероепітаксійних структур на основі GaSb із заданими параметрами для термофотовольтаїчних перетворювачів, а також дослідження можливості підвищення ефективності термофотовольтаїчного перетворення за рахунок утилізації довгохвильового випромінювання за межею поглинання GaSb; методи - оптичні та електричні, математичне моделювання з використанням ЕОМ; новизна - вперше запропоновано оригінальні методики виготовлення гомо- та гетероепітаксійних шарів GaSb; вперше теоретично та експериментально досліджено стійкість підкладок GaSb, InSb і InAs у розчині-розплаві In-Ga-Sb, а також стійкість до твердофазного розчинення; теоретично показана перспективність використання масива квантових точок InSb для підвищення ефективності термофотовольтаїчних перетворювачів на основі GaSb; визначені умови одержання з рідкої фази і вперше отримані квантоворозмірні структури InSb у матриці GaSb; результати - розроблено методики виготовлення гомо- та гетероепітаксійних структур із товщиною шарів від нанометрів до мікрометрів та планарною межею "шар-підкладка"; сфера використання - технологія напівпровідникових епітаксійних структур. Дата реєстрації 2004-03-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити