Search academic texts

Information × Registration Number 0405U002019, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 29-04-2005 popup.evolution o Title Development and investigation of heat-resistant barrier and ohmic contacts for microwave devices on the basis of GaAs. Author Stovpovyi Mykhail Oleksijovych, popup.head Milenin Viktor Volodymirovych popup.opponent Литовченко Петро Григорович popup.opponent Чайка Василь Євгенович Description Дисертація присвячена розробці та дослідженню термостійких омічних і бар'єрних контактів для НВЧ приладів. У роботі показано, що системи металізації Au-AuGe та Au-Ti для омічних і бар'єрних контактів відповідно, які широко застосовуються в мікроелектроніці, є термостійкими лише до 350 ?С, що пов'язано з дифузійними процесами та міжшаровими взаємодіями в контактах. Запропоновані та досліджені системи металізації Au-TaNx(TiBx)-AuGe і Au-TiNx(TiBx) для омічних і бар'єрних контактів відповідно можуть стабільно працювати при температурах до 550° С без зміни електрофізичних параметрів. Використання таких контактів дозволяє створення напівпровідникових приладів підвищеної надійності. Проведено дослідження омічних контактів для гетероструктурних (GaAs-AlGaAs) польових транзисторів. Експериментально визначений критерій оптимальності технології і досліджена радіаційна стійкість таких контактів. Запропоновано методику контролю техпроцесу. Показано, що після впливу ?-радіації у діапазоні доз (2-3)·107 Р спостерігається поліпшення параметрів омічного контакту таких приладів. Registration Date 2005-04-29 popup.nrat_date 2020-04-04 Close