Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0406U001118, Кандидатська дисертація На здобуття к.х.н. Дата захисту 24-02-2006 Статус Захищена Назва роботи Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі Здобувач Дмитрів Анжела Миколаївна, Керівник Фреїк Дмитро Михайлович Опонент Панчук Олег Ельпідефорович Опонент Неділько Сергій Андрійович Опис Об'єкт -процеси дефектоутворення і механізми утворення твердих розчинів на основі бінарних напівпровідникових сполук. Мета - на основі проведення комплексних теоретичних і експериментальних досліджень уточнити існуючі і розробити обґрунтуванні нові кристалохімічні моделі домінуючих точкових дефектів у кристалах бінарних сполук CdTe, HgTe та встановити механізми утворення твердих розчинів на їх основі CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що визначають прогнозовані фізико-хімічні властивості матеріалу, необхідні для створення ефективних пристроїв напівпровідникової техніки. Методи - Бріджмена, двотемпературний відпал, рентгенодифрактометричний, компенсаційний метод Холла, фотолюмінісценція, електронно-парамагнітний резонанс, квазіхімічні та кристалоквазіхімічні реакції, статистичні. Результати - досліджено механізми утворення твердих розчинів CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що забезпечують вирощування матеріалу із наперед заданими концентрацією носіїв струму і типом провідності у залежності від складу. Дата реєстрації 2006-03-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити

Інформація × Реєстраційний номер 0406U001118, Кандидатська дисертація На здобуття к.х.н. Дата захисту 24-02-2006 Статус Захищена Назва роботи Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі Здобувач Дмитрів Анжела Миколаївна, Керівник Фреїк Дмитро Михайлович Опонент Панчук Олег Ельпідефорович Опонент Неділько Сергій Андрійович Опис Об'єкт -процеси дефектоутворення і механізми утворення твердих розчинів на основі бінарних напівпровідникових сполук. Мета - на основі проведення комплексних теоретичних і експериментальних досліджень уточнити існуючі і розробити обґрунтуванні нові кристалохімічні моделі домінуючих точкових дефектів у кристалах бінарних сполук CdTe, HgTe та встановити механізми утворення твердих розчинів на їх основі CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що визначають прогнозовані фізико-хімічні властивості матеріалу, необхідні для створення ефективних пристроїв напівпровідникової техніки. Методи - Бріджмена, двотемпературний відпал, рентгенодифрактометричний, компенсаційний метод Холла, фотолюмінісценція, електронно-парамагнітний резонанс, квазіхімічні та кристалоквазіхімічні реакції, статистичні. Результати - досліджено механізми утворення твердих розчинів CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe(MnTe), що забезпечують вирощування матеріалу із наперед заданими концентрацією носіїв струму і типом провідності у залежності від складу. Дата реєстрації 2006-03-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити