Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0406U001949, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 26-04-2006 Статус Запланована Назва роботи Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs Здобувач Мрихін Ігор Олександрович, Керівник Заячук Дмитро Михайлович Опонент Марончук Ігор Євгенович Опонент Ціж Богдан Романович Опис Досліджено закономірності комплексного впливу ізовалентних, рідкісноземельних елементів та електрично активних легуючих домішок на електрофізичні властивості епітаксійних шарів на основі GaAs в технології низькотемпературної РФЕ. Встановлено оптимальні режими отримання сильно- та слаболегованих шарів p-AlGaAs. Виготовлено модельну подвійну лазерну гетероструктуру та отримано лазерну генерацію при густині порогового струму 4 кА/см2. Дата реєстрації 2006-04-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs
1
Мрихін Ігор Олександрович. Комплексне легування в технології отримання гетероструктур для напівпровідникових інжекційних лазерів на основі GaAs-AlGaAs : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2006-04-26; Статус: Захищена; Національний університет "Львівська політехніка". – , 0406U001949.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18


Роздрукувати цю сторінку