Search academic texts

Information × Registration Number 0407U000890, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 22-02-2007 popup.evolution o Title Defect-impurity interaction in silicon, doped with isovalent impurities Author Kobzar Oleg Oleksandrovych, popup.head Khirunenko Ludmyla Ivanivna popup.opponent Романюк Борис Миколайович popup.opponent Долголенко Олександр Петрович Description Дослідження присвячене вивченню процесів дефектно-домішкової взаємодії, які протікають в кремнії, легованому оловом та вуглецем, під дією іонізуючого опромінення та подальших термообробок. Встановлено, що домішкові атоми Sn в опроміненому кремнії при відпалі ефективно взаємодіють з міжвузельним вуглецем з утворенням центрів "міжвузловинний вуглець + олово". Експериментально показано, що центри можуть існувати в двох структурних конфігураціях з різною термічною стабільністю. Оцінено ефективність взаємодії міжвузельного вуглецю з оловом. Змодельовано енергетичну структуру виявленого дефекту. Встановлено, що олово значно впливає на дифузію центрів "вакансія + кисень" в кремнії. Дифундуючі при відпалі центри "вакансія + кисень" ефективно взаємодіють з домішковими атомами Sn з утворенням нових дефектів "олово + вакансія + кисень". Для виявлених центрів визначено енергію активації відпалу. Показано, що в кремнії n-типу легування оловом призводить до зниження радіаційної стійкості, тоді як в кремнії p-типу наявність олова може призводити до її зростання. Визначено діапазон доз опромінення та концентрацій мілких акцепторів, при яких Si:Sn p-типу є більш радіаційно стійким, ніж Si. Registration Date 2007-02-22 popup.nrat_date 2020-04-04 Close