Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0407U002493, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-05-2007 Статус Запланована Назва роботи Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників Здобувач СЛІПУХІНА Іветта Вікторівна, Керівник Берча Дарія Михайлівна Опонент Дейбук Віталій Григорович Опонент Губанов Віктор Олександрович Опис Дисертаційна робота присвячена дослідженню симетрійних та структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, а також характеризують їхній відклик на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. В рамках концепції мінімальних комплексів зон з використанням наближення пустої ґратки встановлено основні симетрійні аспекти формування зонного спектру кристалу CdSb в околі забороненої зони. На прикладі цього напівпровідника встановлено особливості формування мінімальних комплексів зон у валентній зоні кристалів, у яких жоден з атомів в елементарній комірці не розміщується в специфічних позиціях Викоффа. Проведено дослідження відмінностей у комплексоутворенні в зонних спектрах ізовалентних кристалів SnS та PbS групи A4B6 з суттєво різною симетрією, а також твердого розчину Pb0.5Sn0.5S на їхній основі. Досліджено вплив зсувних деформацій на топологію зон в околі забороненого проміжку в кристалах SbSI та In4Se3. Методами з перших принципів досліджено зміни в зонному спектрі інтеркальованого міддю та літієм кристалу In4Se3. Дата реєстрації 2007-05-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити