Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0407U002494, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-05-2007 Статус Запланована Назва роботи Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів Здобувач ГЛУХОВ Костянтин Євгенійович, Керівник Берча Дарія Михайлівна Опонент Яремко Анатолій Михайлович Опонент Лукіянець Богдан Антонович Опис Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичних станів електронної підсистеми напівпровідникових надграток. Вивчено симетрійно-топологічні особливості будови валентної зони кубічних напівпровідників типів АIV та AIIIBV, а також надґраток на їх основі. У роботі одержано вигляд граничних умов, що накладаються на обвідні функції та їх похідні на гетеропереходах надґраток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надґратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. При першопринципних дослідженнях структурної релаксації ряду симетричних надґраток (GaAs)N/(AlAs)N, визначено параметри неоднорідного поля зміщень в околі гетерограниць. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають при врахуванні індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдені відповідні граничні умови. Дата реєстрації 2007-05-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити