Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0408U001246, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 21-03-2008 Статус Запланована Назва роботи Розробка фізико-хімічного методу одержання і дослідження характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних А2В6 Здобувач Рощина Ніна Миколаївна, Керівник Свєчніков Сергій Васильович Опонент Сорокін Віктор Михайлович Опонент Пуд Олександр Аркадієвич Опис Дисертація присвячена розробці із металоорганічних сполук та комплексному дослідженню характеристик тонких плівок на основі широкозонних А2В6 з метою їх використання в якості світловипромінюючих структур. Вперше одержані хімічним методом тонкі плівки ZnS:Cu та композитні шари, що містять нанорозмірні частинки ZnS і CdS, різного кольору світіння. Досліджено морфологію поверхні та структуру полікристалічних плівок на основі ZnS:Cu та композитних плівок на основі ZnS і CdS. Встановлено, що плівки на основі ZnS:Cu мають більш впорядковану структуру і менш рельєфну поверхню, ніж плівки, одержані методом електронно-променевого випаровування у вакуумі. Досліджені спектри фото- та електролюмінесценції, електричні та електролюмінесцентні характеристики світловипромінюючих структур. Виявлено, що випромінювальні властивості одержаних зразків найбільше залежать від концентрації вихідних речовин і температури підкладинки. Змінюючи температуру підкладинки від 260 до 300 °С (тонкі плівки ZnS:Cu) та від 120 до 40 °С(композитні плівки), можна одержати кольори світіння від червоного до синього. Розроблено стабільний тонкоплівковий електролюмінофор, одержаний на основі ZnS:Cu, з синім кольором світіння. Характер деградації одержаного люмінофора такий самий, як для промислових тонкоплівкових люмінофорів. Дата реєстрації 2008-03-21 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
2
Рощина Ніна Миколаївна. Розробка фізико-хімічного методу одержання і дослідження характеристик світловипромінюючих структур на основі широкозонних А2В6 : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2008-03-21; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0408U001246.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20