Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0408U003097, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 20-06-2008 Статус Запланована Назва роботи Акустична емісія в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN Здобувач Велещук Віталій Петрович, Керівник Власенко Олександр Іванович Опонент Сукач Георгій Олексійович Опонент Прокопенко Георгій Іванович Опис Робота присвячена дослідженню акустичної емісії (АЕ) в напівпровідникових світловипромінюючих структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN при протіканні постійного прямого електричного струму, а також акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання. В роботі розвивається перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням явища акустичної емісії як цілеспрямованого неруйнівного тонкого методу вивчення динаміки дефектоутворення напівпровідникових структур в режимі реального часу. Даним методом АЕ отримано практично важливу інформацію про процеси природного старіння в світловипромінюючих структурах на основі сполук GaAsP, GaP та GaAlAs, які за час 6·108 с. підвищують в 10-20 раз максимально допустимі густини струмів, зокрема густини струмів руйнування та поріг виникнення АЕ. Вперше показано, що зміни в спектрі електролюмінесценції, які традиційно зв'язуються із зміною стану точкових дефектів, корелюють з виникненням акустичної емісії, пов'язаної із процесом перебудови структури матеріалу в локальних об'ємах. Визначено пороги плавлення грані (111) сполук GaAs та CdTe при наносекундному лазерному опроміненні по зміні амплітуди акустичного відгуку. Ключові слова: GaP, GaAs, GaN, акустична емісія, дефектоутворення, електролюмінесценція, лазерне опромінення. Дата реєстрації 2008-06-20 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити