Реєстраційний номер
0409U002932, Кандидатська дисертація
На здобуття
к.ф.-м.н.
Дата захисту
22-06-2009
Статус
Захищена
Назва роботи
Скануюча ближньопольова оптична мікроскопія поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв
Здобувач
Василенко Василь Олексійович,
Керівник Лозовський Валерій Зіновійович
Опонент Любчанський Ігор Леонідович
Опонент Гайдай Юрій Олексійович
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис
У запропонованій роботі розвивається метод розрахунку ближньопольових зображень поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв чи екситонів під нею. Метод базується на формально точному аналітичному розв'язку рівняння Ліппманна-Швінгера. Для розв'язку рівняння Ліппманна-Швінгера використовувався метод ефективної сприйнятливості, оскільки він добре підходить для моделювання ближньопольових картин отриманих як в звичайній скануючій оптичній мікроскопії ближнього поля, так і в надшвидкій звичайній скануючій оптичній мікроскопії ближнього поля. Цей метод є достатньо універсальним - він дозволяє розраховувати поляризаційні особливості ближнього поля, резонансні властивості досліджуваних систем, а також враховувати нелінійні взаємодії в системі. В роботі детально аналізується вигляд та властивості ближньопольових картин від розподілу електронів чи екситонів, що еволюціонує під поверхнею напівпровідника. Розраховується вигляд ближньопольових зображень та пропонується метод розрахунку ближньопольових люмінесцентних зображень від розподілу екситонів що еволюціонує поблизу неоднорідності типу квантової точки. На прикладі розподілу екситонів під поверхнею, проводиться аналіз впливу нелінійної складової сприйнятливості на вигляд ближньопольових зображень. Отримані результати можуть бути корисними для інтерпретації експериментальних результатів, які отримують при дослідженні ближньопольовим скануючим оптичним мікроскопом таких динамічних процесів, як транспортування, розсіяння та релаксація вільних носіїв чи екситонів в приповерхневому шарі напівпровідників.
Дата реєстрації
2009-06-25
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-04 / 2026-06-30
