Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0409U003862, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 09-10-2009 Статус Запланована Назва роботи Вплив структурних особливостей фотонних кристалів на основі GaAs на оптичні спектральні характеристики пасивних оптичних елементів на їх основі Здобувач Дьогтєв Андрій Вікторович, Керівник Сухоіванов Ігор Олександрович Опонент Савченко Олена Володимирівна Опонент Носич Олександр Йосипович Опис Об'єкт - двовимірні фотонні кристали, перехідники та хвилеводи на основі фотонних кристалів. Мета - рішення наукової задачі, яка полягає у встановленні фізичних закономірностей впливу структурних особливостей фотонних кристалів на основі GaAs на оптичні спектральні характеристики оптичних елементів на їх основі. Методи: чисельні методи рішення рівнянь Максвелла; електронно-променева літографія. Наукова новизна: розраховано ефективний показник заломлення фотонного кристалу; визначені найбільш ефективні фотонний кристал, перехідник та хвилевод на основі фотонних кристалів; проаналізовані хвилеводи на основі Кагоме та графітного фотонних кристалів, та хвилеводи з уширеною серцевиною. Теоретичне значення: модель ефективного показника заломлення фотонного кристалу дозволяє спрощувати та прискорювати теоретичні розрахунки на ЕОМ; систематизовано інформацію про мапи фотонних заборонених зон решіток фотонних кристалів; показані шляхи покращення характеристик існуючих хвилеводів на основі фотонних кристалів. Практичне значення: виготовлені експериментальні зразки низки фотонних кристалів на основі GaAs; матеріали дослідження можуть бути використані для розвитку теоретичних уявлень про фотонні кристали та оптичні процеси в них, а також при проектуванні та виготовленні елементів на основі фотонних кристалів. Галузь використання: оптика, лазерна фізика. Дата реєстрації 2009-10-09 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити