Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0409U005410, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 22-10-2009 Статус Запланована Назва роботи Високороздільна Х-променева дифрактометрія структурних порушень у приповерхневих шарах Si та кристалічних з'єднань CdHgTe, YLaFeO після іонної імплантації Здобувач Каземірський Тарас Анатолійович, Керівник Фодчук Ігор Михайлович Опонент Кладько Василь Петрович Опонент Кисловський Євген Миклоайович Опис Представлено результати Х-променевих структурних досліджень приповерхневих областей варізонних структур (111) CdHgTe/CdTe (x=0,21) і (110) CdHgTe/CdTe (х=0,23), одержаних високотемпературним відпалом епітаксійних шарів в парах основних компонент і в які імплантовано іони арсену. Запропонована модель можливої системи домінуючих структурних дефектів у модифікованих хімічним травленням та іонною імплантацією приповерхневих шарах кремнію. Установлено хід структурних перетворень після опромінення висо-кими дозами іонів азоту епітаксійних плівок YLaFeO через вибір відповідних модельних представлень дефектної структури і в певний спосіб розподіленого порушеного поверхневого шару. Дата реєстрації 2009-10-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити