Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0409U005727, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 25-11-2009 Статус Запланована Назва роботи Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі Здобувач Воронкін Євгеній Федорович, Керівник Галкін Сергій Миколайович Опонент Чугай Олег Миколайович Опонент Томашик Василь Миколайович Опис Дисертація присвячена оптимізації технологічних процесів отримання твердотільних детекторів на основі кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe. В роботі розроблено методику й апаратуру, що дозволяє отримувати особливо чисті матеріали, а саме цинк, кадмій і телур рівня чистоти 6N в контейнері, що обертається. Оптимізовано умови отримання напівпровідників CdTe, Cd(Zn)Te та детекторів на їх основі, що дозволило отримати енергетичне розділення 4,5 % при реєстрації гама-квантів з енергією 59,54 кеВ (241Am). Розроблено оригінальну конструкцію й методику виготовлення детекторів УФ-випромінення на основі ZnSe з поліпшеною в 2 рази фоточутливістю відносно відомих аналогів. Оптимізовано й впроваджено в дослідне виробництво Інституту сцинтиляційних матеріалів технологічний процес виготовлення сцинтиляторів на основі ZnSe, який було сертифіковано в системі управління якістю. Розроблено технологічний процес виготовлення методом групової різки сцинтиляційних 1D- і 2D-матриць на основі кристалів ZnSe для позиційно-чутливих детекторів. Дата реєстрації 2009-11-25 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити