Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0409U005770, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-12-2009 Статус Запланована Назва роботи Фотоелектричні та оптичні явища в фотодетекторах і сонячних елементах на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою межею поділу. Здобувач Мамонтова Ірина Борисівна, Керівник Дмитрук Микола Леонтійович Опонент Комащенко Валерій Миколайович Опонент Горбик Петро Петрович Опис Дисертація присвячена дослідженню фотоелектричних і оптичних явищ у фотоприймачах і сонячних елементах (СЕ) типу метал-напівпровідник на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою активною межею поділу. Теоретично розраховано фотострум поверхнево-бар'єрної структури (ПБС) та пропускання світла в СЕ з мікрорельєфними межами поділу. Це дозволило визначити рекомбінаційні параметри текстурованих меж поділу шляхом порівняння виміряних спектрів зовнішньої квантової ефективності з розрахованими спектрами внутрішньої квантової ефективності. Досліджено властивості ПБС типу Au(ITO)-GaAs, Au-InP, і гетероперехід GaAlAs-GaAs з текстурованою межею поділу двох типів: квазігратки та дендрити, отриманих способом хімічного анізотропного травлення, в тім числі з додатковою пасивацією. Запропоновано флуктуаційну модель з розподілом висот бар'єрів за законом Гаусса для моделювання фотоелектричних та темнових ВАХ ПБС з текстурованою межею поділу. Виявлено зміну сталої Річардсона та аномально великі значення температурного коефіцієнта висоти бар'єра, а також зменшення напруги розімкненого кола зі збільшенням ширини розподілу . Показано, що УФ-фотодетектори на основі ПБС Au-GaAs і Au-InP з текстурованою межею поділу за спектральною чутливістю в області =0,25 0,4 мкм (S =0,33 мкм=0,23 А/Вт (Au-GaAs), S =0,35 мкм=0,19 А/Вт (Au-InP)) не поступаються світовим зразкам за рахунок вибору морфології мікрорельєфу та технології виготовлення. Досліджено вплив опромінення -квантами 60Со дозами 103 2 105 Гр на характеристики ПБС з мікрорельєфом типу дендритів та квазігратки. Показано, що перспективнішими для космічного використання є СЕ з мікрорельєфом типу квазігратки. Дата реєстрації 2009-12-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Мамонтова Ірина Борисівна. Фотоелектричні та оптичні явища в фотодетекторах і сонячних елементах на основі напівпровідників А3В5 з текстурованою межею поділу. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.01 - Фізика приладів, елементів і систем : дата захисту 2009-12-18; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0409U005770.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18