Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0410U001855, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-03-2010 Статус Запланована Назва роботи Наноструктури на поверхні та в приповерхневих шарах широкозонних напівпровідників 6H-SiC, BN та ZnS, сформовані імпульсним лазерним опроміненням Здобувач Юсупов Микола Мейманович, Керівник федоренко Леонід Леонідович Опонент Ільченко Василь Васильович Опонент Фекешгазі Іштван Вінцейович Опис Дисертація присвячена встановленню закономірностей фізичних процесів, що протікають на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання; створенню на основі встановлених закономірностей наноструктур 6H-SiC та омічного тугоплавкого контакту до монокристалу 6H-SiC n-типу провідності; отриманню нанокристалічних структур BN методами лазерної технології; з'ясуванню впливу лазерного випромінення на морфологію поверхні та люмінесцентні властивості плівок ZnS-Cu,Cl. Вперше показана можливість формування нанокристалічних структур на поверхні 6H-SiC:N при мікроабляційних рівнях лазерного опромінення (ЛО) ультрафіолетовим наносекундним лазером при кімнатній температурі на відкритому повітрі. Представлена можливість утворення рідкої фази в SiC при опроміненні 6H-SiC:N, потужними наносекундними лазерними імпульсами із області фундаментального поглинання. Показано, що основною причиною лазерно-стимульованих змін в тонкому приповерхневому шарі 6H-SiC:N є зростання коннцентрації домішки азоту N, як атомів заміщення вуглецю C, внаслідок їх руху в умовах термоградієнтного ефекту. Дано пояснення механізму формування наноструктур. Встановлені пороги руйнування приповерхневих шарів 6H-SiC:N при дії ЛО та пороги утворення наноструктур на поверхні SiC: 5.6 Дж/см2 та 5.0 Дж/см2, відповідно. Для поверхні, обробленої ЛО польова емісія починалась при пороговій напрузі 1000 В в діапазоні струму 0.7 мкA 0.7 мA. Запропонований та розроблений лазерний метод формування тугоплавких омічних контактів до 6H-SiC:N на основі структури 6H-SiC:N/W/Si3N4/W/Ni. Типові значення питомого опору контактів, отриманих після лазерного відпалу, становили 5e-4 Ом х см2. Встановлені оптимальні режими лазерної модифікації тонких плівок ZnS-Cu,Cl для зменшення шорсткості поверхні, які не призводять до погіршення емісійних властивостей структур. Запропонований метод формування за допомогою лазерного випромінення ІІ-ої гармоніки YAG:Nd3+ лазеру наноструктур на поверхні спресованого порошку BN. Дата реєстрації 2010-03-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити