Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0410U006120, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 22-10-2010 Статус Запланована Назва роботи Створення та фотоелектричні властивості структур на основі багатокомпонентних халькогенідів. Здобувач Петрусь Роман Юрійович, Керівник Рудь Василь Юрійович Опонент Дмитрук Микола Леонтійович Опонент Савчин Володимир Павлович Опис Удосконалено технології вирощування методами спрямованої кристалізації та хімічних транспортних реакцій монокристалів InSe, In2Se3 та твердих розчинів Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Визначено елементний склад, досліджено структуру та фізичні властивості монокристалів.Запропоновано нову технологію формування енергетичного бар'єру методом термообробки вирощених кристалів, і вперше створено випрямляючі фоточутливі гетероструктури n-Ox/n-InSe, Ox/Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Проаналізовано стаціонарні вольт-амперні характеристики і спектри відносної квантової ефективності вперше одержаних гетероструктур у природному, а для n-Ox/n-InSe і в лінійно-поляризованому випромінюванні. Показано, що в створених гетероструктурах спостерігається фоточутливість у широкій спектральній смузі, а за скісного падіння лінійно-поляризованого випромінювання виникає фотоплеохроїзм.Уперше створено бар'єри Шоткі In/n-In2Se3, Al/n-In2Se3 та In/Cd1-хMnхTe, фоточутливі в широкому інтервалі енергій падаючих фотонів (1-3,8 еВ, 300 К). Аналіз спектрів фоточутливості створених структур дозволив визначити характер міжзонних оптичних переходів, висоту енергетичних барєрів і енергії міжзонних оптичних переходів кристалів In2Se3, Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70).Запропоновано і вперше отримано методом електричного розряду точкові структури на основі монокристалів InSe та твердих розчинів Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Досліджено стаціонарні вольт-амперні характеристики і фоточутливість структур ТК/n-InSe, ТК/Cd1-хMnхTe (х=0,00-0,70). Виявлено широкосмуговий характер і екситонна особливість у спектрах фоточутливості структур ТК/n-InSe.Зроблено висновок про можливість застосування нових структур як широкосмугових фотоперетворювачів оптичного випромінювання та в розробленні приладів магнітної фотоелектроніки на основі твердих розчинів Cd1-хMnхTe. Дата реєстрації 2010-10-22 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити