Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U000607, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 28-02-2011 Статус Запланована Назва роботи Удосконалення кремнієвих фотоелектричних перетворювачів широкомасштабного застосування та методів їх атестації Здобувач Кіріченко Михайло Валерійович, Керівник Копач Володимир Романович Опонент Костильов Віталій Петрович Опонент Губін Сергій Вікторович Опис Об'єкт: Фотоелектричні процеси у монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачах (Si-ФЕП) з горизонтальними та вертикальними випрямними переходами. Мета: Розробка фізико-технологічних основ нових конструктивно-технологічних рішень вітчизняних монокристалічних Si-ФЕП для підвищення їх ККД при одночасному зниженні вартості таких Si-ФЕП, суттєва модернізація традиційно існуючого комплексу обладнання і методів атестації базових кристалів Si-ФЕП та власне самих монокристалічних Si-ФЕП, дослідження можливості ефективного використання монокристалічних Si-ФЕП за новим призначенням, а саме - як сенсорів сучасних систем оптичної локації. Методи: Оптична та растрова електронна мікроскопія; спектрофотометрія; вимірювання вольт-амперних характеристик, фотопровідності, напруги холостого ходу. Результати: Суттєво модернізовано комплекс обладнання і методів атестації базових кристалів та Si-ФЕП. Розроблено фізико-технологічні основи нових конструктивно-технологічних рішень Si-ФЕП основані на покращенні електронних параметрів ФЕП, використанні базових кристалів n- та i(n-)-типу провідності й створенні оптимальної системи захоплення і утримання світла. Показана можливість підвищення ККД багатоперехідних Si-ФЕП з вертикальними діодними комірками введенням уздовж границь діодних комірок рефлекторів з n+-ITO та можливість використання таких Si-ФЕП як сенсорів систем оптичної локації. Галузь використання: Фізика твердого тіла, геліоенергетика, мікроелектроніка. Дата реєстрації 2011-02-28 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити