Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U002769, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 19-05-2011 Статус Запланована Назва роботи Синтез робастного регулятора заданої структури для процесу кристалізації Здобувач Тавровський Ігор Ігорович, Керівник Суздаль Віктор Семенович Опонент Канюк Геннадій Іванович Опонент Рогачов Олександр Іванович Опис Об'єкт дослідження: процеси в системах автоматизованого керування вирощуванням великогабаритних сцинтиляційних монокристалів. Мета дослідження:синтез робастних регуляторів і моделей процесу кристалізації для систем керування вирощуванням великогабаритних сцинтиляційних монокристалів. Методи дослідження: методи теорії оптимального керування, чисельні методи вирішення матричних рівнянь та систем диференціальних рівнянь, методи апроксимації моделей динамічних систем. Теоретичні та практичні результати полягають у підвищенні ефективності роботи установок для вирощування сцинтиляційних монокристалів, досягнутому завдяки використанню методу синтезу робастного регулятора заданої структури. Результати, отримані в дисертаційній роботі практично реалізовані при створенні програмно-технічного забезпечення систем керування процесами виробництва сцинтіляційних матеріалів. За результатами вирощування відмічено істотне збільшення якості вирощених кристалів за рахунок стабілізації масової швидкості кристалізації . Наукова новизна полягає в обґрунтуванні та розробці нового підходу до проектування систем керування процесом кристалізації великогабаритних сцинтиляційни монокристалів в умовах невизначеності та стохастичності об'єкту керування. Вперше запропоновано метод керування вирощуванням великогабаритних сцинтиляційних монокристалів, робастного по відношенню до характерних для процесів кристалізації невизначеностей, що дозволяє підвищити ефективність виробництва кристалів. Вперше отримано математичні моделі процесу кристалізації великогабаритних сцинтиляційних монокристалів в частотній області і в просторі станів на основі регресійного аналізу впливу теплових умов на діаметр зростаючого монокристала і на температуру підживлюючого розплаву, що дозволяють спростити процедуру синтезу робастної системи керування вирощуванням монокристалі. Ступінь впровадження: ІСМА НАН України(м. Харків). Сфера використання: процеси керування в системах виробництва сцинтиляторів. Дата реєстрації 2011-05-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити