Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0411U006453, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-10-2011 Статус Запланована Назва роботи Моделювання фотоперетворюючих гетероструктур на основі аморфного та монокристалічного кремнію Здобувач Биков Михайло Олександрович, Керівник Сліпченко Микола Івановичич Опонент Костильов Віталій Петрович Опонент Опанасюк Анатолій Сергійович Опис Мета - вивчення фотоелектричних характеристик фотоперетворюючої структури на основі гетероструктур аморфний-монокристалічний кремній (ГАМК), збільшення ефективності процесів фотоперетворення в ній в комплексі з прийнятними технологічними витратами на виробництво. Об'єкт - фізичні процеси фотогенерації і перенесення заряду у фотоперетворюючих структурах АМК. Методи досліджень - магнетронного напилення плівок, дослідження високотемпературної провідності кремнієвих робочих шарів, метод ІЧ спектроскопії, оптичні і електронно- мікроскопічні методи для аналізу дефектів на поверхні структур з використанням комп'ютерних систем. Результати - розроблено чисельно-аналітичну модель процесу перенесення носіїв у напівпровідникових структурах на основі ГАМК з урахуванням щільності станів у щілині рухливості гідрогенізованого аморфного кремнію. Розроблено пакет програм моделювання аморфних напівпровідникових структур, який дозволяє в кінетичному наближенні проводити розрахунки характеристик аморфних фотоперетворюючих структур і структур на основі ГАМК. Отримано залежності між коефіцієнтом фотоелектричного перетворення і геометричними параметрами аморфних тонкоплівкових структур і визначено оптимальне значення товщини плівки, за якої досягається максимальне фотоелектричне перетворення. Впроваджено - у навчальному курсі "Матеріали мікроелектроніки та методи їх досліджень" ХНУРЕ. Галузь використання - розробка матеріалів для створення сонячних фотоперетворювачів енергії Дата реєстрації 2011-10-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити