Search academic texts

Information × Registration Number 0412U000147, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 18-01-2012 popup.evolution o Title Х-ray diffractometry of subsurface layers and heterostructures based on Si(Ge) and In(Ga)As. Author Gudymenko Aleksandr Iosyfovich, popup.head Kladko Vasilyi Petrovich popup.opponent Кисловский Євген Миколайович popup.opponent Ткач Василь Миколайович Description Дисертація присвячена досліжденню структурних змін в приповерхневих шарах Si та SiGe.Встановлено, що в приповерхневих шарах кремнію, підданих імплантації іонів В+ і As+ при одночасній дії ультразвуку і відпалу зразків при Т = 800 - 950 С відбувається стимульований процес релаксації. Встановлено, що при застосуванні ультразвукового впливу при імплантації He+ в SiGe шари постійного складу, вирощені псевдоморфно на напружених Si підкладках можна керувати ступенем їх релаксації. Показано зростання рівня релаксації SiGe шарів при дії.Методами динамічної теорії дифракції визначено параметри спотвореної кристалічної ґратки шарів, форму та параметри інтерфейсу між шарами. Встановлено, що в InGaAs/GaAs структурах з квантовими нитками, підданих швидкому термічному відпалу (550С 850С) рушійним механізмом структурних перетворень є релаксація залишкових деформацій внаслідок термічно-активованих і деформаційно-підсилених процесів інтердифузії атомів In/Ga на межі поділу квантова нитка-2D шар. Registration Date 2012-01-18 popup.nrat_date 2020-04-04 Close