Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0412U000989, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-03-2012 Статус Запланована Назва роботи Оптичні переходи і механізм фотопровідності в гетероструктурах InGaAs/GaAs та SiGe/Si з наноострівцями Здобувач Головинський Сергій Леонідович, Керівник Вакуленко Олег Васильович Опонент Власенко Олександр Іванович Опонент Коротченков Олег Олександрович Опис У дисертації викладено результати експериментальних досліджень фотоелектричних та оптичних властивостей двох типів гетероструктур з наноострівцями InGaAs/GaAs та SiGe/GeІ. У спектрах фотопровідності структур InGaAs/GaAsІ виявлено смуги, обумовлені дефектними станами інтерфейсу та квантовими станами наноострівців. Методом термостимульованої провідності досліджено оптичні властивості глибоких дефектних станів та їхній енергетичний спектр. Теоретично описані форма спектрів фотолюмінесценції і фотопровідності та кінетика фотоструму і температурні залежності фотоструму. Дата реєстрації 2012-03-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити