Registration Number
0412U001138, Candidate dissertation
Status
к.х.н.
Date
09-12-2011
popup.evolution
.
Title
Interaction of gallium and indium arsenides and antimonides with aqueous solutions of H2O2-HBr-solvent.
Author
Shelyuk Irina Oleksandrivna,
popup.head Tomashyk Vasyl Mykolayovych
popup.opponent Лобанов Віктор Васильович
popup.opponent Судавцова Валентина Савеліївна
popup.rada
Centre of distance learning and knowledge control of Precerpathian national University named after V.Stefanyk
Description
Робота присвячена дослідженню хімічної взаємодії монокристалів GaAs, нелегованого і легованого InAs, GaSb та InSb з бромвиділяючими розчинами H2O2-HBr-розчинник. За результатами експериментів з використанням математичного планування на симплексі побудовано 21 діаграму "склад травника - швидкість травлення" цих кристалів в розчинах систем H2O2-HBr-етиленгліколь, H2O2-HBr-лактатна, H2O2-HBr-тартратна та H2O2-HBr-цитратна кислоти з визначенням границь областей поліруючих, неполіруючих і селективних розчинів. Встановлено залежності швидкостей розчинення від температури і швидкості перемішування розчину, визначено лімітуючі стадії процесу розчинення напiвпровiдникiв, виявлено вплив легування на швидкість травлення та границі областей поліруючих розчинів. Встановлено вплив природи розчинника та вмісту H2O2 на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість обробленої поверхні. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення GaAs, InAs, InAs(Sn), GaSb і InSb в травниках H2O2-HBr-розчинник. За даними вимірювань електродних потенціалів процесів саморозчинення цих напівпровідників в поліруючих розчинах та залежності їх від часу травлення висловлено припущення про електрохімічні перетворення, які відбуваються при їх поліруванні. Вперше встановлено залежності швидкостей ХМП від ступеня розведення базових поліруючих розчинів H2O2-HBr-органчний компонент в'язкими розчинниками, встановлено вплив їх природи та концентрації на полірувальні властивості сформованих травників та стан полірованої поверхні монокристалів. Оптимізовано склади поліруючих травильних композицій H2O2-HBr-розчинник і технологічні режими ХДП і ХМП для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок та фінішного полірування монокристалів GaAs, InAs, InAs(Sn), GaSb та InSb.
Registration Date
2012-01-24
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-30
