Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0412U002045, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-04-2012 Статус Запланована Назва роботи Оптичні та структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO. Здобувач Авраменко Катерина Андріївна, Керівник Стрельчук Віктор Васильович Опонент Корсунська Надія Овсіївна Опонент Губанов Віктор Олександрович Опис Дисертація присвячена дослідженню фізичних властивостей, явищ і процесів, які визначають коливні і електронні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO в залежності від технологічних умов вирощування. Методом скануючої конфокальної мікро-КРС спектроскопії досліджено просторовий розподіл деформацій, структурної досконалості і концентрації (рухливості) електронів в напрямку росту нітридних шарів n++-n0-n++-GaN діодних структур із субмікронною роздільною здатністю. На основі теоретичного аналізу змішаних плазмон-LO-фононних мод розроблена кількісна методика визначення концентрації і рухливості електронів в n-GaN шарах. Показано високу ефективність резонансної мікро-КРС спектроскопії для встановлення просторових профілів розподілу компонентного складу і деформацій в надтонких квантових шарах багатошарової InGaN/GaN структури. Встановлено, що в епітаксійному InхGa1-хN шарі, вирощеному на сапфіровій підкладці з буферним GaN шаром, утворюються просторово розділені латеральні композиційні неоднорідності, які містять збагаченні індієм нанокластери InGaN. Встановлено, що магніторозбавлені плівки Zn1-хСохO (х = 5 і 15%), вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії, є феромагнітними при кімнатній температурі та мають колончатоподібну мікроструктуру. Комплексні оптичні дослідження показали, що іони Со2+ знаходяться в тетраедричному оточенні іонів кисню, тобто заміщують іони Zn2+ в регулярних позиціях вюрцитної структури. Методом мікро-КРС спектроскопії досліджено ефекти структурного розупорядкування в ZnO:N плівках, вирощених методом магнетронного розпилення. В спектрах КРС виявлено смугу при 275 см-1 пов'язану з локальними коливаннями цинку в тетраедричному оточенні, де частина найближчих атомів кисню заміщенні атомами азоту. Дата реєстрації 2012-04-18 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Авраменко Катерина Андріївна. Оптичні та структурно-морфологічні властивості низькорозмірних структур на основі GaN і ZnO. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2012-04-18; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0412U002045.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18