Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0412U005970, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 06-10-2012 Статус Запланована Назва роботи Функціональні твердотільні наноструктури Здобувач Мерзликін Павло Володимирович, Керівник Балабай Руслана Михайлівна Опонент Пелещак Роман Михайлович Опонент Тюрін Олександр Валентинович Опис Дисертація присвячена визначенню особливостей електронної структури наноматеріалів, що мають функціональні призначення в наноелектроніці: нанорозмірних легованих і нелегованих плівок ZnO та кремнію, нанокластерів кремнію, вбудованих у матрицю SiO2, та ротаксанів. Основним методом дослідження обрано теоретичні розрахунки на основі формалізму функціоналу електронної густини, методу псевдопотенціалу, квантової молекулярної динаміки Кар-Парінелло, що відносяться до класу методів із перших принципів. Визначені найвірогідніші механізми, що приводять до стабілізації полярних поверхонь тонких плівок ZnO товщиною 4–7 A, а саме стабілізація за рахунок неоднорідного стискання шарів або за рахунок адсорбції водню. Установлено, що легування тонкої плівки ZnO товщиною 7 A атомами міді та срібла в концентрації 4 % або 12,5 % приводить до формування нових енергетичних рівнів в області зайнятих станів (валентній зоні та забороненій зоні), тоді як легування вуглецем в концентрації 4 % не викликає появи додаткових станів. Продемонстровано, що система наноплівок ZnО, розташованих на відстані ~5 A одна від одної, виступає як електричне реле, що замикається електронною перемичкою у вакуумному проміжку між плівками при адсорбції полярних молекул газу. Спрогнозовано отримання періодично повторюваних областей зі збільшеним значенням електронної густини (дротів) в кремнієвій плівці товщиною ~5 A при періодичному нанесенні на поверхню плівки плоских органічних молекул з неоднорідним розподілом електронної густини. Теоретично визначено, що вбудований в SiO2 нанокристал кремнію спричиняє появу низькозаселених станів у валентній та забороненій зонах за рахунок виникнення позитивних іонів Si в матриці SiO2. Визначений потенціальний рельєф переходу двопозиційного ротаксану між стабільними положеннями. Дата реєстрації 2012-10-06 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити