Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0412U006189, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 25-10-2012 Статус Запланована Назва роботи Вплив температури на електронну структуру в об'ємі та на поверхні кристалів типу алмазу, сфалериту і вюрциту Здобувач Горкавенко Тетяна Василівна, Керівник Макара Володимир Арсенійович Керівник Зубкова Світлана Михайлівна Опонент Зауличний Ярослав Васильович Опонент Лень Євген Георгійович Опис Дисертаційна робота присвячена теоретичному дослідженню та чисельним розрахункам впливу температури на властивості електронної структури в об'ємі та на поверхні кристалів типу алмазу, сфалериту і вюрциту методом самоузгодженого псевдопотенціалу. Встановлені загальні закономірності температурної залежності одноелектронних рівнів, основних міжзонних переходів та густини електронних станів в гексагональних кристалах GaN, AlN, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdTe, ZnO. Для полярної поверхні (111) ряду кристалів типу А2В6, А3В5 досліджено зонну структуру, локальну густину електронних станів (повну та пошарову), побудовані 3D-зображення та контурні карти розподілу зарядової густини валентних електронів. Досліджена температурна залежність ряду електронних властивостей поверхні (111) Si в температурному інтервалі 0 - 600 К. Чисельні розрахунки проведені самоузгодженим методом псевдопотенціала в моделі шаруватої надгратки. Вказано на можливе використання одержаних результатів в мікро- і оптоелектронних пристроях, таких як еталони випромінювання, генератори нано- та субнаносекундних імпульсів, світлодіоди та ін. Дата реєстрації 2012-10-25 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити