Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0413U000763, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 01-03-2013 Статус Запланована Назва роботи Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням. Здобувач Лозінський Володимир Борисович, Керівник Клюй Микола Іванович Опонент Корбутяк Дмитро Васильович Опонент Іващук Анатолій Васильович Опис В дисертації розроблено нову технологію, спрямовану на покращення оптичних властивостей та деградаційної стійкості елементів ІЧ - оптики на основі напівізолюючого GaAs. Технологія включає плазмові обробки та осадження алмазоподібних вуглецевих плівок. Встановлено, що завдяки застосуванню плазмових обробок перед осадженням АВП оптичне пропускання елементів на основі GaAs в ІЧ області спектру може бути суттєво покращене. Вперше показано, що деградаційна стійкість оптичних елементів на основі кристалів напівізолюючого GaAs до дії гама-опромінення може бути покращена завдяки осадженню просвітлюючих і захисних АВП. Показано, що завдяки структурній модифікації АВП під дією гама-квантів у напрямку утворення sp3 - координованих C-C зв'язків пропускання структури АВП-GaAs після дії гама-опромінення може навіть перевищувати пропускання вихідної (неопроміненої) структури. Оптимізовано технологічні режими осадження АВП задля отримання плівок з заданими властивостями. Показана можливість покращення к.к.д. СЕ на основі мультикристалічного кремнію в 1,5 рази завдяки осадженню АВП та використанню розробленої фотовольтаїчної концентраторної системи. Встановлено механізми модифікації та відновлення структури плівок SiO2 при іонних обробках та УФ - опроміненні. Розроблено автоматизовану систему управління установкою газодетонаційного осадження ізолюючих, теплопровідних шарів. Дата реєстрації 2013-03-01 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Лозінський Володимир Борисович. Розробка технологій покращення властивостей оптичних елементів на основі GaAs, діелектричних плівок та сонячних елементів з їх використанням. : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2013-03-01; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0413U000763.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21