Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0413U003029, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 23-04-2013 Статус Запланована Назва роботи "Дослідження процесів інтеграції Si/AIIIBV RGB джерел білого світла" Здобувач Демінський Петро Віталійович, Керівник Осінський Володимир Іванович Опонент Камуз Олександр Михайлович Опонент Кузьомко Микола Григорович Опис Реалізовані принципово нові інтегральні твердотільні джерела білого світла на гнучкому носії алюміній-поліімід і кремнії. Встановлено прямий зв'язок між атомним складом активної області світловипромінюючих структур GaN, InGaN і середньоквадратичними динамічними зміщеннями їх атомів кристалічних граток. Обґрунтовано доцільність заміни зазвичай вживаних твердих розчинів червоних світлодіодних структур AlInGaP на тверді розчини InxGa1-xN з вмістом індію 30-40% для забезпечення монолітної інтеграції RGB випромінювачів в одному технологічному процесі. Поведені дослідження фоточутливості гетероструктур червоного (0,1 А/Вт), зеленого (0,08 А/Вт) і синього (0,1 А/Вт) світло діодів. Встановлено ступінь спектральної селективності їх чутливості. Реалізовано реверсивний режим включення гетероструктур AlInGaP, для здійснення зворотного зв'язку по інтенсивності випромінювання. Винайдена і запатентована нова твердотільна випромінююча матрична RGB гетероепітаксіальная наноструктура білого світла Si/por.Al2O3(SiO2)/III-N, що дає можливість цілеспрямовано змінювати світлотехнічні параметри інтегрального джерела світла і одержати над'яскраві RGB світлодіодні структури з індексом передачі кольору 90-95 Ra. Створено прикладне програмне забезпечення з графічним інтерфейсом, що дозволяє моделювати розподіл мікрокластерних RGB структур на поверхні структурованих буферних наношарів в чіпі. Дата реєстрації 2013-04-23 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити