Кандидатська дисертація. Мішакова Тетяна Олександрівна. Еліпсометрія напівпровідникових планарних нано-структур з урахуванням ефектів ближнього поля

Реєстраційний номер

0413U003194, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н.

Дата захисту

24-04-2013

Статус

Захищена

Назва роботи

Еліпсометрія напівпровідникових планарних нано-структур з урахуванням ефектів ближнього поля

Здобувач

Мішакова Тетяна Олександрівна,

Керівник Лозовський Валерій Зиновійович
Опонент Фрідман Юрій Анатолійович
Опонент Кудрявцев Юрій Володимирович

Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України

Опис

Дана дисертація присвячена побудові самоузгодженої теорії відгуку моношару взаємодіючих наночастинок, що базується на методі функцій Гріна. Рівняння Ліпмана-Швінгера, що містить функцію Гріна напівпростору, розв'язуеться в двовимірному k-просторі для визначення усередненого відгуку шару наночастинок на поверхні. На базі цього підходу ми розвинули модель оптичного відгуку шару еліптичних наночастинок, що хаотично та рівномірно розміщені на поверхні. Пряма електромагнітна взаємодія між частинками враховувалась в цій моделі рівнянням Ліпмана-Швінгера. Модель демонструє сильну залежність оптичних властивостей такого шару від форми та концентрації частинок. Нами було проведено еліпсометричні вимірювання для двох типів зразків із золотих частинок з різними параметрами на поверхні. Експериментально було показано, що стандартні моделі апроксимації ефективним середовищем не можуть коректно описати властивості отриманих спектрів. Показано, що еліпсометричні спектри сильно залежать від геометричних параметрів частинок. На базі цієї моделі, яка враховує взаємодію між частинками, ми можемо розрахувати чутливість сенсора на локальних плазмонах та знайти оптимальні параметри частинок для збільшення його чутливості.

Дата реєстрації

2013-05-20

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-04 / 2026-06-30