Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0413U003687, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 29-05-2013 Статус Запланована Назва роботи Розробка технології вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів Sb1-x Bix Здобувач Луцький Денис Валерійович, Керівник Кожемякін Геннадій Миколайович Опонент Шаповалов Віктор Олександрович Опонент Філіпов Володимир Борисович Опис Дисертацію присвячено розробці технології вирощування кристалів твердих розчинів Sb1-xBix, а також дослідженню їх електрофізичних властивостей. У роботі запропоновано фізичну модель розрахунку коефіцієнтів теплопровідності в монокристалах сплавів Sb-Bi постійного складу зі вмістом вісмуту до 20 ат. %. Визначено оптимальні умови росту монокристалів сплавів сурма-вісмут, вирощених без підживлення, та градієнтних монокристалів. У вирощених кристалах твердих розчинів Sb-Bi із вмістом вісмуту до 20 ат. % обміряна щільність дислокацій, що склала від 3,0 106 см-2 до 1,73•107 см-2. Проведено моделювання конвекції в рідкій фазі в умовах, близьких до росту градієнтних монокристалів твердих розчинів сурма-вісмут з підживленням розплаву. Вирощено монокристал сплаву сурма-вісмут зі зміною концентрації вісмуту від 2,5 до 17 ат. % і градієнтом параметрів кристалічної решітки до 0,852 %/см. У зразках монокристалів сплавів Sb-Bi обмірювана концентрація вісмуту, параметри кристалічної решітки, концентрація й рухливість носіїв заряду, питомого електроопору, термо-е.р.с. і коефіцієнти теплопровідності. Дата реєстрації 2013-05-29 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Луцький Денис Валерійович. Розробка технології вирощування градієнтних кристалів твердих розчинів Sb1-x Bix : к.т.н. : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2013-05-29; Статус: Захищена; Східноукраїнський національний університет імені Володимира Даля. – , 0413U003687.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18