Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0414U001603, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Закономірності формування дефектно-домішкового складу на-півпровідникових кристалів алмазу для зондів тунельних мікроскопів

Здобувач

Чепугов Олексій Павлович,

Керівник Івахненко Сергій Олексійович
Опонент Гадзира Микола Пилипович
Опонент Літвінов Леонід Аркадійович

На здобуття

к.т.н., 05.02.01, Матеріалознавство

Дата захисту

03-04-2014

Опис

Дисертація присвячена вирішенню науково-технічної задачі по вирощуванню монокристалів алмазу з напівпровідниковими властивостями шляхом дослідження закономірностей формування необхідного дефектно-домішкового складу монокристалів алмазу типу IIb та отримання зразків, придатних для виготовлення зондів для скануючого тунельного мікроскопу. Розглянуто особливості вирощування кристалів в системах Fe-Co-Zr-B-C і Fe-Al-B-C при температурах 1350-1600 °C і тиску 6,0-6,5 ГПа, визначено, що із збільшенням кількості кристалів зменшується швидкість росту окремого кристалу. Встановлено вплив умов вирощування на зонально-секторіальну будову кристалів; показано можливість отримання кристалів з розвитком граней форми {111} до 80 % при проведенні процесу кристалізації в системі Fe-Co-Zr-B-C при температурах понад 1550 °С, а в системі Fe-Al-B-C при температурах понад 1450 °С до 100 %. Показано, що при додаванні B4C в кількості 1 ? 2,5 % за ма-сою концентрація некомпенсованого бору лінійно змінюється від 35 до 87 ppm та від 10 до 25 ppm для секторів росту {111} та {100}, відповідно, а питомий опір для секторів росту {111} таких кристалів зменшується від 3,32·105 до 1,65·104 Ом · см, що дає можливість застосовувати алмази об'єм яких сформований сектором росту {111}, для виготовлення зондів СТМ. Виготовлено дослідну партію зондів з напівпровідниковим алмазним вістрям у формі піраміди Берковича та проведено дослідно-виробничу перевірку.