Search academic texts

Information × Registration Number 0415U001281, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 28-01-2015 popup.evolution o Title Process of charge transfer and registration of terahertz radiation in structures based on silicon Author But Dmytro Borisovich, popup.head Sizov Fedir Fedorovych popup.opponent Негрійко Анатолій Михайлович popup.opponent Опанасюк Анатолій Сергійович Description Дисертація спрямована на дослідження фізичних механізмів чутливості приймачів терагерцового випромінювання на основі напівпровідникових польових транзисторів та їх застосування в системах детектування кімнатних температурах. Дослідження взаємодії терагерцового випромінювання з приймачем проводилися з використанням широкого діапазону частот від 0,13 до 3,3 ТГц та інтенсивностей падаючого терагерцового випромінювання. Вперше встановлені межі лінійності відгуку польових транзисторів як приймачів ТГц/суб-ТГц випромінювання та визначено області переходу від лінійних залежностей до насичення вихідних сигналів приймачів на основі кремнієвих транзисторів комплементарної структури метал-оксидний-напівпровідникових та транзисторів з високою рухливістю електронів. Розроблена модель, що аналітично дозволяє описувати експериментальні залежності сигналу від потужності падаючого випромінювання, як в області лінійності сигналу, так і в області насичення сигналу, що, як вперше доведено, обумовлено насиченням струму в каналі польового транзистора. Registration Date 2015-01-28 popup.nrat_date 2020-04-03 Close