Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0415U003995, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 01-07-2015 Статус Запланована Назва роботи Структурні, електронні та коливні властивості низькорозмірних гетероструктур на основі GaN, InAs та ZnO Здобувач Романюк Артем Сергійович, Керівник Стрельчук Віктор Васильвич Опонент Коротченков Олег Олександрович Опонент Войтович Василь Васильвич Опис В дисертації викладено результати комплексного дослідження оптичних та структурних властивостей GaN Ганн-діодних структур з вертикальним дизайном, гетероструктур AlхGa1-хN/GaN, гетероструктур InAs/Al(Ga)As з квантовими точками, ZnO плівок та твердих розчинів Zn1-xCdxO (х >= 0,12). Дата реєстрації 2015-07-01 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Романюк Артем Сергійович. Структурні, електронні та коливні властивості низькорозмірних гетероструктур на основі GaN, InAs та ZnO : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2015-07-01; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0415U003995.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16