Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0415U006324, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 09-12-2015 Статус Запланована Назва роботи Структурні, оптичні та механічні властивості тонких плівок a-Si1-xCx(:H) отриманих методом магнетронного розпилення Здобувач Русавський Андрій Вадимович, Керівник Назаров Олексій Миколайович Опонент Нищенко Михайло Маркович Опонент Печерська-Громадська Катерина Юріївна Опис Дисертаційна робота присвячена вирішенню наукової задачі по виявленню механізмів формування аморфних кремній-вуглецевих плівок, отриманих методами магнетронного осадження, впливу физико-технологических умов синтезу і подальших термічних обробок на структуру ближнього порядку, оптичні і механічні властивості матеріалу. Запропоновано і відпрацьовано оригінальний метод осадження тонких плівок a-SiC(:H) методом ВЧ-магнетронного розпилення мішені кристалічного карбіду кремнію (SiC-6H) з площею, що обмежена тільки розміром катодного вузла магнетрона. Детально досліджено вплив низькотемпературного відпалу (4500С) в інертному і окиснюючому середовищі на структурну перебудову і фотолюмінесцентні властивості плівок a-Si(1-x)C(x):H із стехіометричним складом (x=0,5) та з надлишком вуглецю (x=0,7). Встановлено, що основним ефектом низькотемпературної термічної обробки а-SiC:H тонких плівок в окиснюючому середовищі є значне посилення фотолюмінесценції білого кольору. Запропоновано і відпрацьовано метод синтезу світловипромінюючих плівок a-SiO(x)C(y):Tb:H за допомогою низькотемпературного окиснення збагачених вуглецем плівок a-Si(1-x)C(x):Tb:H, осаджених методом реактивного магнетронного розпилення. Досліджено механізми окиснення аморфних кремній-вуглецевих плівок в парах води і в середовищі сухого кисню. Дата реєстрації 2015-12-09 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Русавський Андрій Вадимович. Структурні, оптичні та механічні властивості тонких плівок a-Si1-xCx(:H) отриманих методом магнетронного розпилення : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2015-12-09; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0415U006324.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21