Search academic texts

Information × Registration Number 0416U000766, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 21-03-2016 popup.evolution o Title Electron transport and electron field emission from semiconductor nanocomposite structures Author Steblova Olga, popup.head Yevtukh Anatolij Antonovych popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович popup.opponent Лепіх Ярослав Ілліч Description Дисертаційна робота присвячена вирішенню наукової задачі з встановлення основних механізмів провідності через збагачені Si плівки SiOx та нанокомпозитні плівки SiO2(Si). Основними механізмами струмопереносу через досліджувані плівки є: механізм провідності зі змінною довжиною стрибка (механізм Мотта), струм обмежений об'ємним зарядом, механізм Пула-Френкеля, тунелювання за Фаулером-Нордгеймом. Встановлені режими лазерного відпалу, при яких відбуваються перетворення збагачених кремнієм нестехіометричних окисних плівок SiOx (х < 2) у нанокомпозитні плівки SiO2(Si). Детально досліджено вплив низькотемпературних відпалів (450 С) у водні та у вакуумі на електропровідність плівок SiOх(Si). Виявлено явище резонансного тунелювання при проходженні струму через плівки SiOх(Si). Досліджена електронна польова емісія з кремнієвих нановістрів вкритих надтонкими плівками SiOx та SiO2(Si) різної товщини. Виявлені піки на емісійних ВАХ. Для пояснення немонотонностей ВАХ запропонована модель, яка базується на явищі резонансного тунелювання електронів.Встановлено вплив світла при опромінені лазером на особливості електронної польової емісії ЕПЕ з Si-Ge наноострівців. На окремих зразках (Si-Ge нанострівці, вкриті плівкою кремнію) спостерігались ділянки з від'ємним диференційним опором на емісійних ВАХ, які виникають за рахунок квантування рівнів у трикутній потенціальній ямі на границі розділу Si-вакуум у сильному електричному полі. Registration Date 2016-03-21 popup.nrat_date 2020-04-03 Close