Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0416U003520, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 30-05-2016 Статус Запланована Назва роботи Вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні та оптичні властивості GaP та AlGaAs світлодіодів Здобувач Петренко Ігор Віталійович, Керівник Тартачник Володимир Петрович Опонент Когут Ігор Тимофійович Опонент Григорчак Іван Іванович Опис Дисертацію присвячено дослідженню впливу дефектів радіаційного походження на електрофізичні процеси в кристалах і світлодіодах на основі GaP та трикомпонентних сполук AlGaAs. Опромінення ?-квантами Со60 світлодіодів GaP приводять до поступового гасіння свічення. При опроміненні ?-частинками в світлодіодах GaP виникає ефект малих доз, котрий проявляється у зростанні ємності p-n-переходу, спаданні величини потенціального бар'єру між областями, а також величини диференційного опору ВАХ. Опромінення діодів електронами потоком Ф = 5?1016 см-2 приводить до повного гасіння свічення мікроплазм. Дата реєстрації 2016-05-30 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
Вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні та оптичні властивості GaP та AlGaAs світлодіодів
1
Петренко Ігор Віталійович. Вплив дефектів радіаційного походження на електрофізичні та оптичні властивості GaP та AlGaAs світлодіодів : к.т.н. : спец.. 05.27.01 - Твердотільна електроніка : дата захисту 2016-05-30; Статус: Захищена; Інститут ядерних досліджень НАН України. – , 0416U003520.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку