1 documents found
Information × Registration Number 0416U003810, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 06-07-2016 popup.evolution o Title Numerical simulation of the band structure, transport properties and noises in semi-metallic Hg1-xCdxTe quantum wells used as a channel of THz detector Author Melezhik Evgen Oleksandrovych, popup.head Sizov Fedir Fedorovych popup.opponent Одулов Сергій Георгійович popup.opponent Лозовський Валерій Зіновійович Description Робота присвячена чисельному моделюванню енергетичних спектрів та хвильових функцій носіїв заряду, електронних рухливостей та шумів у квантовій ямі на основі Hg1-xCdxTe напівметалічної фази, для її застосування в якості каналу ТГц-болометра на гарячих електронах. Розрахунки виконані для температури рідкого азоту Т = 77 К. Дослідження дозволили встановити, що при температурі рідкого азоту (77 К), у квантовій ямі за відсутності перекриття зон, у власному стані електронна рухливість є низькою у порівнянні з такою рухливістю при високих електронних концентраціях. Зростання концентрації електронів призводить до зростання їх рухливості на порядки, до величин, близьких до 1e6 см2/Вс. Встановлено, що домінантним механізмом розсіяння електронів є розсіяння на заряджених центрах, у той час як розсіяння на оптичних фононах є суттєво менш ефективним. Показано, що для систем із високою рухливістю електронів, домінантним шумом буде температурний (Джонсонівський) шум, а генераційно-рекомбінаційний та фоновий шуми будуть суттєво меншими. Чисельно змодельовано оптимальні параметри квантових ям Hg1-xCdxTe напівметалічної фази, необхідні для створення каналу болометричного ТГц-детектора, який би мав імпеданс, близький до імпедансу антени, та низький шум. Registration Date 2016-07-06 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Candidate dissertation
1
Melezhik Evgen Oleksandrovych. Numerical simulation of the band structure, transport properties and noises in semi-metallic Hg1-xCdxTe quantum wells used as a channel of THz detector : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2016-07-06; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0416U003810.
1 documents found

Updated: 2026-03-20