1 documents found
Information × Registration Number 0418U001272, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 22-03-2018 popup.evolution o Title Structure doping modification of Ag8SnSe6 argyrodites for resistive memory elements Author Semkiv Ihor , popup.head Ilchuk Hryhoriy popup.opponent Tsizh Bohdan popup.opponent Studenyak Ihor Description Дисертацію присвячено дослідженню фізичних властивостей полікристалів і тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6, фізико-хімічних основ технології їх одержання та створенню резистивно перемикаючих комірок на їх основі. Оптимізовано фізико-хімічні основи одержання полікристалічного Ag8SnSe6 та розроблено ефективну технологію отримання тонких плівок аргіродиту методом селенізації металічної плівки Ag-Sn. Одержані полікристали та тонкі плівки характеризуються орторомбічною структурою просторової групи Pmn21 з близькими за значенням параметрами кристалічної гратки за даними рентгеноструктурного аналізу. Розраховано зонно-енергетичну структуру аргіродиту Ag8SnSe6 та показано генезис утворення зони провідності та валентної зони. Отримано значення ширини забороненої зони 0,75 еВ у наближенні функціоналу локальної густити та 0,66 еВ у методі проекційно приєднаних хвиль. Проведено теоретико-групову класифікацію фононних мод Ag8SnSe6. Показано активність та частоти коливань у спектрах комбінаційного розсіяння та ІЧ-спектрах. Досліджено спектри КРС, у яких спостерігається один пік, що є комбінацією піків при 119,08; 168,43; 200,05 та 216,73 см-1, які відповідають високосиметричним коливанням симетрії A1 та піків при 150,73 та 212,75 см-1, що відповідають коливним модам В1 та В2 відповідно. У спектрах поглинання в інфрачервоному діапазоні край фундаментального оптичного поглинання знаходиться при 1512 нм та відповідає міжзонному переходу з енергією 0,82 еВ. Отримано температурну залежність фотолюмінесценції аргіродиту Ag8SnSe6. Спектри характеризуються одним асиметричним піком, який є комбінацією двох рекомбінаційних піків з максимумами за 0,85 та 0,74 еВ. Створено твердотільну електрохімічну комірку на основі тонких плівок аргіродиту Ag8SnSe6 з активним до іонів Ag+ срібним та блокувальним до них графітовим електродами. Виявлено ефект резистивного перемикання. Проведено імпедансні дослідження комірки та моделювання відповідних процесів електричними еквівалентними схемами. Registration Date 2018-03-22 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Candidate dissertation
3
Semkiv Ihor . Structure doping modification of Ag8SnSe6 argyrodites for resistive memory elements : Кандидат технічних наук : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2018-03-22; popup.evolution: .; Lviv Polytechnic National University. – Львів, 0418U001272.
1 documents found

Updated: 2026-03-21