Реєстраційний номер
0418U001636, Кандидатська дисертація
На здобуття
Кандидат фізико-математичних наук
Дата захисту
23-04-2018
Статус
Захищена
Назва роботи
Кінетика фотопровідності та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах InGaAs/GaAs та Ge/Si
Здобувач
Іляш Святослав Андрійович,
Керівник Кондратенко Сергій Вікторович
Опонент Рудько Галина Юріївна
Опонент Остапенко Ніна Іванівна
Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Опис
Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню особливостей релаксації фотозбудження у бар’єрних структурах з нанорозмірними об’єктами InGaAs та Ge/Si і визначенню механізмів фотопровідності у таких гетероструктурах.
Визначено роль квантово-розмірних станів нанооб’єктів та енергетичного розупорядкування у процесах рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах на основі гетеропереходу InGaAs/GaAs та Ge/Si. Показано, що явище довготривалої фотопровідності з неекспоненційною релаксацією фотозбудження, виявлене у структурах з нанооб’єктами, пояснюються просторовим розділенням зарядів збуджених електронно-діркових пар локальними електричними полями та впливом глибоких пасток в оточенні наноструктур. Визначено роль наноструктур у релаксації фотозбудження та розтлумачено явище збільшення часу загасання фотоЕРС та фотоструму при легуванні квантових точок InAs домішками донорного типу. Вперше показано, що присутність квантових точок InGaAs в області просторового заряду p-i-n діодів призводить до розширення спектрального діапазону в ІЧ область (до 1.2еВ), а їх легування кремнієм збільшує час життя нерівноважних носіїв заряду на порядок.
Ключові слова: квантові точки, квантові нитки, гетероструктури, процеси рекомбінації заряду, наноструктури, InAs/InGaAs, Ge/Si, фотопровідність, квантово-розмірні стани.
Дата реєстрації
2018-05-10
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-03 / 2026-06-29
