Search academic texts

Information × Registration Number 0419U002412, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 27-04-2019 popup.evolution o Title Improvement of technology for making contacts to porous layer of semiconductors Author Holod Oleksii H., popup.head Prytchyn Serhii E. popup.opponent Yerokhov Valerii Yu. popup.opponent Lozinskyi Volodymyr B. Description Дисертаційна робота присвячена розв’язанню актуального наукового зав-дання удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників. Для досягнення поставленої мети удосконалено математичну модель, яка визначає залежність загального опору системи «металевий контакт – поруватий шар арсеніду галію – підкладка арсеніду галію» від поруватості шару. Встановлено, що контактний опір металу до поруватого арсеніду галію визначається висотою бар’єру Шотткі. Зміна поруватості шару por-GaAs спричиняє зміну контактного опору. Показано, що загальний опір системи «метал –por-GaAs» можна розглядати як систему паралельно-послідовно з’єднаних опорів. В роботі удосконалено метод отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs, який відрізняється застосуванням імпульсного струму. Для забезпечення вимірювання параметрів контактів із поруватим шаром GaAs розроблено автоматизовану систему визначення параметрів контактів з бар’єром Шотткі завдяки вимірюванню вольт-амперних характеристик, що дозволяє визначати одночасно пряму й зворотну гілки вольт-амперних характеристик. Встановлено експериментальну залежність між морфологією поруватого шару і електричними параметрами контакту Шотткі та уточнено наукові дані про залежність висоти бар’єру Шотткі від товщини поруватого шару. На підставі запропонованих в роботі технологій розроблено датчик водню на базі поруватого GaAs з контактом Шотткі, який працює за кімнатної температури. Registration Date 2019-04-27 popup.nrat_date 2020-04-03 Close