Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U002495, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат хімічних наук Дата захисту 15-05-2019 Статус Запланована Назва роботи Системи Al-Ga-Pd, Ga-{Sn,Sb}-Pd: фазові рівноваги, кристалічні структури та каталітичні властивості сполук Здобувач Мацелко Оксана Василівна, Керівник Гринь Юрій Миколайович Керівник Гладишевський Роман Євгенович Опонент Білоус Анатолій Григорович Опонент Барчій Ігор Євгенович Опис Інтерметалічні сполуки з їхньою особливою комбінацією кристалічної та електронної структур є ідеальними кандидатами для розробки нових матеріалів для гетерогенного каталізу з покращеними властивостями. Дослідження фазових рівноваг, умов утворення інтерметалічних сполук і твердих розчинів у системах Ga-M-T, особливо Ga-M-Pd, з акцентом на застосуванні в каталізі є актуальним. Методами рентгенівського фазового та рентгенівського структурного аналізів, скануючої електронної мікроскопії та локального рентгеноспектрального аналізу вперше встановлено фазові рівноваги та побудовано ізотермічні перерізи діаграм стану систем Al-Ga-Pd при 600°C та ≥ 50 ат.% Pd, Ga-Sn-Pd і Ga-Sb-Pd при 500°C у повному концентраційному інтервалі. В системі Al-Ga-Pd виявлено утворення чотирьох неперервних рядів твердих розчинів заміщення між ізоструктурними сполуками: Al1-xGaxPd (структурний тип FeSi), (Al1-xGax)3Pd5 (Rh5Ge3), Al1-xGaxPd2 (Co2Si), (Al1-xGax)2Pd5 (Pd5Ga2), де 0 ≤ x ≤ 1. У системі Ga-Sn-Pd синтезовано один новий тернарний паладид Ga2+x+ySn4-xPd9 (x = 0,72, y = 0,06); його кристалічна структура власного типу походить від структури типу Ti2Ni. Застосування квантової теорії атомів у молекулах (QTAIM) дозволило оцінити ефективні заряди атомів у сполуці – -0,40 та -0,60 для Pd, +0,70 для Ga/Sn. Знайдено розподіл індикатора локалізації електронів (ELI-D) для Ga2+x+ySn4-xPd9, який дозволив виявити двоцентрові зв’язки Pd-Sn і Pd-Ga, однак вони розподілені ізотропно, що може перешкоджати утворенню окремих активних центрів на поверхні. Для синтезованого твердого розчину Ga1-xSnxPd2 (0 ≤ x ≤ 1; Co2Si) встановлено вплив електронної структури на каталітичні властивості в реакції напівгідрування ацетилену (максимум каталітичної активності при значенні x = 0,28). Метод наближення когерентного потенціалу (CPA) використано для розрахунку електронної структури Ga1-xSnxPd2. Залежність активності матеріалу від центра ваги d-зони Pd показує різкий максимум для найбільш активного матеріалу. У системі Ga-Sb-Pd виявлено три нові тернарні сполуки: гексагональна Ga1-xSbxPd2 з x = 0,5-0,7 (Fe2P) і дві тетрагональні – Ga0,62(3)Sb0,38(3)Pd3 (Pt3Ga), Ga0,61(3)Sb0,39(3)Pd3 (новий структурний тип). Дата реєстрації 2019-05-15 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити