Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U003791, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 18-09-2019 Статус Запланована Назва роботи Омічні контакти до нітрид індієвих епітаксійних плівок Здобувач Сай Павло Олегович, Керівник Шинкаренко Володимир Вікторович Опонент Порошин Володимир Миколайович Опонент Тартачник Володимир Петрович Опис Дисертація присвячена дослідженню багатошарових омічних контактів до n InN, напівпровідникового матеріалу перспективного для високочастотних транзисторних структур. В роботі проаналізовано використання швидких термічних обробок з метою оптимізації властивостей отриманих омічних контактів. Встановлено, що омічні контакти Pd/Ti/Au до n-InN можуть формуватися в об’єднаному технологічному процесі, який полягає в одночасному використанні методів магнетронного напилення металізації та термічної обробки при 350 °С. Статистичними методами визначено оптимальні параметри технологічних обробок та показано, що додаткові швидкі термічні обробки призводять не лише до зниження середнього значення питомого контактного опору, а й до зниження значення дисперсії його розподілу. Виявлено, що в діапазоні температур 4,2-380 К для досліджених омічних контактів до n-InN з рівнями легування 2 • 1018 см-3, 8 • 1018 см-3 та 4 • 1019 см-3 характерний металічний механізм струмопереносу по шунтах, що спряжені з дислокаціями в плівках нітриду індію. Показано, що дані шунти можуть формуватися як в процесі дифузії атомів паладію в процесі магнетронного напилення металізації, так і дифузії атомів індію по дислокаціях у випадку збагачення поверхні епітаксійних плівок індієм, що може відбуватися завдяки специфіці епітаксійного росту плівок InN. Для всіх цих випадків досягнуто узгодження густини металевих шунтів, розрахованої аналітично з теоретичної моделі, та густини дислокацій, визначеної експериментально за допомогою високороздільної X-променевої дифрактометрії. Дата реєстрації 2019-09-18 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити