Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U003792, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 18-09-2019 Статус Запланована Назва роботи Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні Здобувач Любченко Олексій Ігорович, Керівник Кладько Василь Петрович Опонент Борча Мар'яна Драгошівна Опонент Лень Євген Георгійович Опис В дисертації викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структурно-деформаційний стан надграток AlN/GaN, градієнтних шарів AlxGa1 xN, приповерхневих шарів монокристалів InSb і GaN та розробки методик рентгенодифракційного аналізу цих ефектів. Розглянуто підхід до моделювання рентгенодифракційних спектрів в іонно-імплантованих кристалах InSb і GaN та методику відтворення профілів деформації в них. Проведено детальний аналіз неідеальних надграткових структур AlN/GaN з неоднорідностями товщини шарів НГ та з врахуванням впливу дислокацій. Показано, що розраховані з одночасним врахуванням цих порушень структури спектри для AlN/GaN НГ добре пояснюють спостережуване на експериментальних спектрах розширення і асиметрію піків сателітів, особливо для рефлексів вищих порядків. Встановлено, що іонна імплантація – потужний метод для трансформації структурного і деформаційного стану градієнтних шарів і НГ. Показано, що імплантація іонами Ar+ в композиційно-градієнтні сплави AlxGa1–xN та НГ AlN/GaN призводить до зміни деформаційного стану і відносно низького пошкодження кристалічної структури Дата реєстрації 2019-09-18 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити