Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0419U003792, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Високороздільна Х-променева дифрактометрія поверхневих шарів монокристалів та багатошарових структур при іонному опроміненні

Здобувач

Любченко Олексій Ігорович,

Керівник Кладько Василь Петрович
Опонент Борча Мар'яна Драгошівна
Опонент Лень Євген Георгійович

На здобуття

Кандидат фізико-математичних наук, 01.04.07, Фізика твердого тіла

Дата захисту

18-09-2019

Опис

В дисертації викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структурно-деформаційний стан надграток AlN/GaN, градієнтних шарів AlxGa1 xN, приповерхневих шарів монокристалів InSb і GaN та розробки методик рентгенодифракційного аналізу цих ефектів. Розглянуто підхід до моделювання рентгенодифракційних спектрів в іонно-імплантованих кристалах InSb і GaN та методику відтворення профілів деформації в них. Проведено детальний аналіз неідеальних надграткових структур AlN/GaN з неоднорідностями товщини шарів НГ та з врахуванням впливу дислокацій. Показано, що розраховані з одночасним врахуванням цих порушень структури спектри для AlN/GaN НГ добре пояснюють спостережуване на експериментальних спектрах розширення і асиметрію піків сателітів, особливо для рефлексів вищих порядків. Встановлено, що іонна імплантація – потужний метод для трансформації структурного і деформаційного стану градієнтних шарів і НГ. Показано, що імплантація іонами Ar+ в композиційно-градієнтні сплави AlxGa1–xN та НГ AlN/GaN призводить до зміни деформаційного стану і відносно низького пошкодження кристалічної структури