1 documents found
Information × Registration Number 0419U003792, Candidate dissertation Status Кандидат фізико-математичних наук Date 18-09-2019 popup.evolution o Title High-resolution X-ray diffractometry of single crystals near-surface layers and multilayered structures under ion irradiation Author Liubchenko Oleksii , popup.head Kladko Vasyl P. popup.opponent Borcha Mariana popup.opponent Len Evgen Description В дисертації викладено результати дослідження впливу іонної імплантації на структурно-деформаційний стан надграток AlN/GaN, градієнтних шарів AlxGa1 xN, приповерхневих шарів монокристалів InSb і GaN та розробки методик рентгенодифракційного аналізу цих ефектів. Розглянуто підхід до моделювання рентгенодифракційних спектрів в іонно-імплантованих кристалах InSb і GaN та методику відтворення профілів деформації в них. Проведено детальний аналіз неідеальних надграткових структур AlN/GaN з неоднорідностями товщини шарів НГ та з врахуванням впливу дислокацій. Показано, що розраховані з одночасним врахуванням цих порушень структури спектри для AlN/GaN НГ добре пояснюють спостережуване на експериментальних спектрах розширення і асиметрію піків сателітів, особливо для рефлексів вищих порядків. Встановлено, що іонна імплантація – потужний метод для трансформації структурного і деформаційного стану градієнтних шарів і НГ. Показано, що імплантація іонами Ar+ в композиційно-градієнтні сплави AlxGa1–xN та НГ AlN/GaN призводить до зміни деформаційного стану і відносно низького пошкодження кристалічної структури Registration Date 2019-09-18 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Candidate dissertation
1
Liubchenko Oleksii . High-resolution X-ray diffractometry of single crystals near-surface layers and multilayered structures under ion irradiation : Кандидат фізико-математичних наук : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2019-09-18; popup.evolution: .; V. Lashkaryov Institute of semiconductor physics. – Київ, 0419U003792.
1 documents found

Updated: 2026-03-20