Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0419U004876, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 29-10-2019 Статус Запланована Назва роботи Фотоелектричні властивості структур кристалічного кремнію з гідрогенізованими нанорозмірними вкрапленнями Здобувач Бабиченко Оксана Юріївна, Кандидат фізико-математичних наук Керівник Пащенко Олексій Георгійович Опонент Аркуша Юрій Васильович Опонент Костильов Віталій Петрович Опис Об'єкт - явища генерації рухливих носіїв заряду квантами світла в монокристалічному кремнії з аморфними нановкрапленнями. Мета - отримання властивостей гетероморфних напівпровідникових матеріалів на основі кристалічного та аморфного кремнію різного виду та ступеня аморфізації, суттєвих з точки зору застосування їх у фотоелектричних перетворювачах для сонячної енергетики. Методи - метод кінетичного рівняння з модифікацією функції розподілу щільності електронних станів та спектру оптичного поглинання з урахуванням ступеня розупорядкованості аморфного кремнію; метод схем заміщення для визначення фотопровідності монокристалічного кремнію при різних ступенях розупорядкованості аморфних включень різної геометричної форми. Результати – теоретичним шляхом отримано розподіл щільності електронних станів та спектр нормованої узагальненої функції розподілу щільності станів в гетероморфному кремнії з урахуванням ступеня розупорядкованості структури, розмірів та морфології включень; одержано характеристики фотопровідності гетероструктури аморфного гідрогенізованого та монокристалічного кремнію як функції розмірів та морфології аморфних включень в кристалічному субстраті; подальший розвиток методів розрахунку впливу аморфних неоднорідностей на фотопровідність кристалічного кремнію в залежності від фізичних властивостей та геометрії цих неоднорідностей. Галузь застосування – сонячна енергетика, оптоелектроніка Дата реєстрації 2019-10-29 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити