Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0420U100216, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 18-12-2019 Статус Запланована Назва роботи Модифікація структури та електрофізичних властивостей нанопористих шарів графіту, графену та оксиду графену під впливом радіаційного випромінювання і температури. Здобувач Слободян Олександр Михайлович, Керівник Назаров Олексій Миколайович Опонент Вайнберг Віктор Володимирович Опонент Карачевцев Віктор Олексійович Опис В дисертації викладено результати дослідження структурних перетворень та електрофізичних параметрів графену під впливом радіаційного випромінювання, а також плівок оксиду графену та нанопористих вуглецевих плівок під впливом термічного відпалу. Встановлено механізм розсіювання носіїв заряду в одношаровому графені на діелектричній підкладці, що є визначальним при опроміненні малими дозами високоенергетичних електронів. Досліджено процес термічного відпалу плівок оксиду графену в атмосферних умовах у вузькому діапазоні температур. Показано, що відпал при температурі 250 ℃ протягом 5 хв призводить до зниження електричного опору на 7 порядків. Запропоновано і реалізовано метод синтезу аморфних вуглецевих плівок з нанопорами із використанням специфічного режиму планарного магнетрону. Показано, що відпал плівок в інертній атмосфері при температурах до 700 ℃ призводить до значної графітизації, росту електропровідності та зниження пористості. Продемонстровано можливість використання плівок відновленого оксиду графену та графітизованих вуглецевих плівок у якості резистивних сенсорів газів Дата реєстрації 2019-12-18 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Слободян Олександр Михайлович. Модифікація структури та електрофізичних властивостей нанопористих шарів графіту, графену та оксиду графену під впливом радіаційного випромінювання і температури. : Кандидат фізико-математичних наук : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2019-12-18; Статус: Захищена; Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського". – Київ, 0420U100216.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22