Search academic texts

Information × Registration Number 0421U100132, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 24-12-2020 popup.evolution o Title Development of testing methods for parameters of Pd–Ti–Au ohmic contacts to silicon microwave diodes Author Slipokurov Viktor Serhiiovych, popup.head Kudryk Yaroslav popup.opponent Verbytskyi Volodymyr Hryhorovych popup.opponent Khrypko Sergii Leonidovich Description Дисертація присвячена розробці методів контролю параметрів омічних контактів до напівпровідникових структур n+-Si та n+-n-n+-Si, які широко використовуються у потужній кремнієвій мікроелектроніці. У дисертації створено модель впливу параметрів омічного контакту на вихідну потужність лавинно-пролітного діода (ЛПД). На основі створеної моделі сформульовано вимоги до омічного контакту кремнієвих ЛПД міліметрового та субміліметрового діапазонів частот та проведено підбір шарів контактної металізації. Запропоновано метод зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу кореляції питомого опору контактів та питомого поверхневого опору напівпровідника. Розроблено метод дослідження омічних контактів до багатошарових напівпровідникових структур. Досліджено температурну залежність питомого опору контактів Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si та механізм струмопротікання в них. Всупереч відомим результатам з аналогічною шаровою структурою, отримано спадну, а не зростаючу температурну залежність питомого контактного опору, що пов’язано з більш оптимальною товщиною шару паладію. Розроблено метод дослідження теплового опору ЛПД, який є більш інформативним у порівнянні зі стандартним. Крім того, виключено вплив теплового опору корпус ЛПД – тепловідвід. Розроблено метод відбраковки потенційно ненадійних ЛПД за параметрами, пов’язаними з тепловим опором та послідовним опором втрат Registration Date 2021-01-16 popup.nrat_date 2021-01-16 Close