Search academic texts

Information × Registration Number 0421U103025, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 13-05-2021 popup.evolution o Title Laser micro-nanostructuring and doping of near-surface layers of semiconductor materials. Author Mohylyak Ivan Adrianovych, popup.head Popovych Dmytro Ivanovych popup.opponent Krukovskyi Semen Ivanovych popup.opponent Semchuk Oleksandr Yuriyovych Description Дисертаційна робота присвячена розробці технології мікро- наноструктурування напівпровідникових матеріалів і формування тонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання. Експериментально досліджена можливість мікро- наноструктурування монокристалічного кремнію за допомогою трьох типів лазерів – рубінового, неодимового і СО2 лазера. Показано, що плавлення Si при порогових значеннях енергії лазерного випромінювання має локальний характер, а форма закристалізованих проплавів залежить від кристалографічної орієнтації зразків. Одержано поверхневі періодичні структури з розмірами в нанометровому діапазоні, що можна використовувати для підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Експериментально досліджена можливість твердофазного легування і формування у напівпровідниках субмікронних легованих шарів під дією потужних лазерних імпульсів. Проаналізовані і обгрунтовані оптимальні умови лазерної дії. Досліджені основні електрофізичні параметри p-n переходів і омічних контактів в Si, GaAs, InP, InGaAsP, InGaAs, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. Особливі переваги лазерні методи обробки матеріалів мають при формуванні p-n переходів і омічних контактів на основі легко дисоціюючих матеріалів і багатошарових структур. При відповідному виборі складу твердих розчинів цю методику можна ефективно використовувати при виготовленні фоточутливих структур в елементах мікро- наноелектроніки і оптоелектроніки. Registration Date 2021-06-04 popup.nrat_date 2021-06-04 Close