Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0421U103025, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 13-05-2021 Статус Запланована Назва роботи Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів. Здобувач Могиляк Іван Адріанович, Керівник Попович Дмитро Іванович Опонент Круковський Семен Іванович Опонент Семчук Олександр Юрійович Опис Дисертаційна робота присвячена розробці технології мікро- наноструктурування напівпровідникових матеріалів і формування тонких легованих шарів у напівпровідниках під дією лазерного випромінювання. Експериментально досліджена можливість мікро- наноструктурування монокристалічного кремнію за допомогою трьох типів лазерів – рубінового, неодимового і СО2 лазера. Показано, що плавлення Si при порогових значеннях енергії лазерного випромінювання має локальний характер, а форма закристалізованих проплавів залежить від кристалографічної орієнтації зразків. Одержано поверхневі періодичні структури з розмірами в нанометровому діапазоні, що можна використовувати для підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії. Експериментально досліджена можливість твердофазного легування і формування у напівпровідниках субмікронних легованих шарів під дією потужних лазерних імпульсів. Проаналізовані і обгрунтовані оптимальні умови лазерної дії. Досліджені основні електрофізичні параметри p-n переходів і омічних контактів в Si, GaAs, InP, InGaAsP, InGaAs, сформованих методом лазерної дифузії домішки з плівки лігатури. Особливі переваги лазерні методи обробки матеріалів мають при формуванні p-n переходів і омічних контактів на основі легко дисоціюючих матеріалів і багатошарових структур. При відповідному виборі складу твердих розчинів цю методику можна ефективно використовувати при виготовленні фоточутливих структур в елементах мікро- наноелектроніки і оптоелектроніки. Дата реєстрації 2021-06-04 Додано в НРАТ 2021-06-04 Закрити
Дисертація кандидатська
2
Могиляк Іван Адріанович. Лазерне мікро- наноструктурування та легування приповерхневих шарів напівпровідникових матеріалів. : Кандидат технічних наук : спец.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : дата захисту 2021-05-13; Статус: Захищена; Інститут прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України. – Львів, 0421U103025.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-22