Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0421U103852, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 30-09-2021 Статус Запланована Назва роботи Активні напівпровідникові елементи для генерації в терагерцовому діапазоні Здобувач Приходько Кирило Геннадійович, Керівник Боцула Олег Вікторович Опонент Білецький Микола Миколайович Опонент Стороженко Ігор Петрович Рецензент Маслов Вячеслав Олександрович Рецензент Катрич Геннадій Сергійович Опис Дисертація присвячена дослідженню можливостей підвищення граничних частот роботи напівпровідникових приладів для використання їх для генерації електромагнітних коливань та шуму в терагерцовому та субтерагерцовому діапазонах. Розроблено математичну модель транспорту носіїв заряду, що враховує ударну іонізацію та неоднорідний розподіл складу. Досліджено початкову стадію ударної іонізації в напівпровідникових сполуках InGaAs, InGaN та InAlN. Було досліджено генерацію шуму в коротких діодах з катодним статичним доменом, що містив варізонний шар на катоді. Вперше досліджено можливість отримання надвисокочастотної генерації та визначено енергетичні та частотні характеристики структур GaAs – варізонний шар GazIn1-zAs, що працюються в умовах ударної іонізації у варізонному анодному шарі. Запропонована та досліджена планарна структура з бічною n+-границею на основі варізонного GaInAs напівпровідника. Частотна межа генерації структури перевищує 300 ГГц на основній частоті. Отримані результати дозволять удосконалити існуючі джерела терагерцового діапазону та створити нові. Отримані шумові характеристики ДКСД свідчать про можливість їх використання у радіометричних системах в якості опорних джерел шуму. Ключові слова: гетероперехід, варізонний шар, напруженість електричного поля, ударна іонізація, резонансно-тунельна границя, електромагнітне поле. Дата реєстрації 2021-10-19 Додано в НРАТ 2021-10-19 Закрити