Search academic texts

Information × Registration Number 0421U103852, Candidate dissertation Status Кандидат фізико-математичних наук Date 30-09-2021 popup.evolution o Title Active semiconductor elements for generation in the terahertz range Author Prykhodko Kyrylo H., popup.head Botsula Oleg V. popup.opponent Biletskyi Mykola Mykolaiovych popup.opponent Storozhenko Igor P. popup.review Maslov Viacheslav Oleksandrovych popup.review Katrych Gennadij S Description Дисертація присвячена дослідженню можливостей підвищення граничних частот роботи напівпровідникових приладів для використання їх для генерації електромагнітних коливань та шуму в терагерцовому та субтерагерцовому діапазонах. Розроблено математичну модель транспорту носіїв заряду, що враховує ударну іонізацію та неоднорідний розподіл складу. Досліджено початкову стадію ударної іонізації в напівпровідникових сполуках InGaAs, InGaN та InAlN. Було досліджено генерацію шуму в коротких діодах з катодним статичним доменом, що містив варізонний шар на катоді. Вперше досліджено можливість отримання надвисокочастотної генерації та визначено енергетичні та частотні характеристики структур GaAs – варізонний шар GazIn1-zAs, що працюються в умовах ударної іонізації у варізонному анодному шарі. Запропонована та досліджена планарна структура з бічною n+-границею на основі варізонного GaInAs напівпровідника. Частотна межа генерації структури перевищує 300 ГГц на основній частоті. Отримані результати дозволять удосконалити існуючі джерела терагерцового діапазону та створити нові. Отримані шумові характеристики ДКСД свідчать про можливість їх використання у радіометричних системах в якості опорних джерел шуму. Ключові слова: гетероперехід, варізонний шар, напруженість електричного поля, ударна іонізація, резонансно-тунельна границя, електромагнітне поле. Registration Date 2021-10-19 popup.nrat_date 2021-10-19 Close