Search academic texts

Information × Registration Number 0421U103895, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 22-09-2021 popup.evolution o Title Development of scanning liquid phase epitaxy method Author Tsybulenko Vadym Volodymyrovych, popup.head Shutov Stanislav Viktorovych popup.opponent Voronov Serhii O. popup.opponent Guba Sergey K. Description Дисертацію присвячено розробці нового методу вирощування з рідинної фази. Для цього, проведено аналіз методів вирощування з рідинної фази, на основі якого сформульовані основні вимоги для нового методу. Розроблений новий метод вирощування з рідинної фази, який отримав назву скануюча рідиннофазна епітаксія. В дисертаційній роботі запропоновано і описано методику вирощування епітаксійних шарів новим методом. Побудовано математичну модель та розроблена комп’ютерна програма розрахунку технологічних режимів отримання епітаксійних шарів новим методом з урахуванням: напружень, нерівномірного розтікання струму в ростовому капілярі, ефекту Пельтьє, Джоулева нагрівання, електроміграції, кута змочування розчином-розплавом підкладки, а також різних умов тепловідведення від тильної і фронтальної сторони підкладки. Розроблено та виготовлено установку для скануючої рідиннофазної епітаксії. За результатами моделювання визначені оптимальні параметри і режими експеримеентів. Для підтвердження працездатності нового методу, розробленої і виготовленої експериментальної установки до нього та запропонованої математичної моделі було проведено експерименти з вирощування гетероепітаксійних шарів і нанесення контактної сітки. А саме. Вирощений епітаксійний шар Ge на підкладці GaAs з Ga-Ge розчину-розплаву, товщиною 12.6 мкм в умовах градієнта температури. Вирощені суцільні по поверхні гетероепітаксійні шари Ge на підкладках GaP та GaAs в умовах надшвидкісного вирощування, на початковому етапі росту, при часі кристалізації 1 с та 20 с. Нанесено контактний шар Al/SnAl на поверхні Si пластини з Al-Sn розчину-розплаву, крізь маску із вузькими щілинами, що має питомий контактний опір 7.2∙10 4 Ом·см2. За допомогою епітаксії шару Ge на підкладках GaP та GaAs шляхом порівнянням розрахункової і експериментальної товщини гетероепітаксійного шару підтверджена коректність запропонованих моделей тепло- та масопередачі для методу скануючої рідиннофазної епітаксії. Registration Date 2021-10-20 popup.nrat_date 2021-10-20 Close