Пошук академічних текстів

Реєстраційний номер

0493U002489, Кандидатська дисертація

Назва роботи

Исследование взаимодействия несоразмерной структуры с дефектами в кристаллах тетрахлорметалатов тетраметиламония 9N(CH3)4)2MeCl4 (Me=Zn,Co,Fe,Cu,Mn)

Здобувач

Жмурко Владимир Станиславович,

Керівник Влох А.Г.
Опонент Стасюк И.В.
Опонент Хацько Е.М.

На здобуття

к.ф.-м.н., 01.04.07, Фізика твердого тіла

Дата захисту

02-12-1992

Опис

Объект исследования: Несоразмерно-модулированные кристаллы (N(CH3)4)2MeCl4 (Me=Zn,Cu,Mn,Fe,Co), в которые вводились дефекты в процессе роста и путем рентгеновского облучения. Цель исследования: Исследования "вязкого" взаимодействия изоморфного замещения Ме2+, рентгеновского облучения внешних механических напряжений и электрических полей, градиентных факторов; строение фазовых диаграмм состояния. Методы исследования и аппаратура: Метод Сенармона для измерения двойного преломления, метод компесаицонного моста для измерения действительной и мнимой части диэлектрического проникновения. Лазер ЛГН-105, усилитель УПИ-1, осциллографС1-826 ФЕП-62, терморегулирующая система "УТРЕКС", криостаты, установка "ИРИС", измерительный мост "Hewlett-Packard 4275A". Теоретические результаты и новизна: Для кристаллов группы ТМАТС-Ме подтвржден эффект "вязкого" взаимодействия несоразмерной структуры с дефектами, выявлено нарушение регулярного распределения несоразмерностей под влиянием изоморфного замещения, рентгеновского облучения, электрических полей, механических напряжений и их градиентов. Практические результаты и новизна: Впервые для кристаллов ТМАТС-Му выявлено, что под действием внешних влияний в области существования несоразмерной фазы индицируются соразмерные области. Построено фазовые диаграммы состояния в координатах "температура-внешнее влияние". Предложено метод измерения величины силы пининга структуры на дефектах и споосб определния дозы рентгеновского облуч. Предмет и степень внедрения: Методика исследований двух преломленных и диэлектрических особенностей может быть реокмендована для определения в широком классе диэлектрических и полупроводниковых материалов в ИФ АН Украины, КГУ, ЛГУ, УжГУ, ЛНИИ материалов. Сфера (область) использования: Физика твердого тела, кристаллооптика, материаловедение, дозиметрия рентгеновского облучения.