Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0493U003184, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 18-06-1993 Статус Запланована Назва роботи Спектроскопия фотолюминесценции и комбинированнного рассеяния света тонких полупроводниковых пленок и гетероструктур на основе арсенида галия Здобувач Бачериков Юрий Юрьевич, Керівник Кобутяк Д.В. Керівник Артамонов В.В. Опонент Гнатенко Ю.П. Опонент Остапенко С.С. Опис Объект исследования: GaAs полученный методом молекулярно-лучевой эпитаксии и бiбi - сверхструктуры на его основе, GaAs/Si с ориентацией (100) (111) (211). Цель исследования: Исследования эффектов структурного разупорядочения в тонких и сверхтонких полупроводниковых пленках, и гетероструктурах GaAs, а также влияние на них внешних активных факторов. Методы исследования и аппаратура: Фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света, нарушенное полное внутреннеее отражение, ВИМС. Теоретические результаты и новизна: Впервые исследован эффект геттерирования в бiбi-структурах и разработана его модель. В МЛЭ-GaAs обнаружена линия люминесценции с hv=1.551:1.577 еВ, исследованы ее свойства. Практические результаты и новизна: Разработана методика уменьшения механических напряжений и структурного разупорядочения пленок GaAs в гетероструктуре GaAs/Si (III). Сфера (область) использования: Производство сверхчистых, ненапряженных пленок, могут быть рекомендованы ИФ АН Украины, МГУ (Россия), АН Литвы и др. Дата реєстрації 1993-06-18 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити